半導體封測總部項目落戶金壇，一期投資15億元
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5月21日，由制局半導體（江蘇）有限公司投資的半導體封測總部項目在金壇簽約，落戶華羅庚高新區(qū)。
該項目總投資50億元，一期投資15億元，建設HI-SiP模組研發(fā)中心、工程技術中心及半導體先進封測基地，以滿足汽車電子、通訊電子、AI、醫(yī)療、航空航天領域先進封測和器件模組需求，計劃2026年上半年建成投產；項目二期將建設高頻微波、功率、寬禁帶化合物半導體器件及模組制造基地，計劃于2028年開工建設。
（楊成武 宋蕾）
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